Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 5-Pin DFN8x8 TK099V65Z,LQ(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
984 шт., срок 8 недель
11 000 ֏
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 22 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.09 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DFN8x8 |
| Pin Count | 5 |
| Series | TK099V65Z |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 473 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
