650V 8A, SiC Schottky Diode, 3-Pin 2L TO-220AC VS-C08ET07T-M3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 840 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 192 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The Vishay 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode with forward Current of 8A. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 8A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | 2L TO-220AC |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Pin Count | 3 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Average Forward Current | 8А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 23нКл |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220AC |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Вес, г | 1 |
