650V 10A, SiC Schottky Diode, 3-Pin 2L TO-220AC VS-C10ET07T-M3
![Фото 1/3 650V 10A, SiC Schottky Diode, 3-Pin 2L TO-220AC VS-C10ET07T-M3](https://static.chipdip.ru/lib/797/DOC024797137.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC006561111.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/608/DOC034608430.jpg)
4 530 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 226 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
The Vishay 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode with forward Current of 10A. Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | SiC Schottky |
Diode Type | SiC Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 10A |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | 2L TO-220AC |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
Pin Count | 3 |
Rectifier Type | Schottky Diode |
If - прямой ток | 10 A |
Ir - обратный ток | 55 uA |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Vf - прямое напряжение | 1.8 V |
Vr - обратное напряжение | 650 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Регулируемые резистивные диоды |
Конфигурация | Single |
Максимальная ёмкость диода | 45 pF |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | Diodes Rectifiers |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | SiC |
Тип | PIN Schottky Diode |
Тип продукта | PIN Diodes |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AC-2 |
Average Forward Current | 10А |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
Количество Выводов | 2 Вывода |
Полный Емкостной Заряд Qc | 28нКл |
Стиль Корпуса Диода | TO-220AC |
Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
Вес, г | 1 |