N-Channel MOSFET, 7.5 A, 800 V, 3-Pin TO-220 FP SIHA21N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 400 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 22 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 7.5 A drain current.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.205 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 4V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | E |
| Drain Source On State Resistance | 0.205Ом |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.205Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 157 КБ
Datasheet SIHA21N80AE-GE3
pdf, 157 КБ
