IGB50N60TATMA1 IGBT, 90 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 200 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 3 200 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology. High Efficiency
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IGB50N60TATMA1
pdf, 642 КБ
IGB50N60TATMA1
pdf, 630 КБ
