IGB50N60TATMA1 IGBT, 90 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 900 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 15 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology. High Efficiency
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 333 W |
Package Type | PG-TO263-3 |
Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IGB50N60TATMA1
pdf, 642 КБ
IGB50N60TATMA1
pdf, 630 КБ