IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 600 ֏

Кратность заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 11 200 ֏

Номенклатурный номер: 8014554577

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode. High Efficiency

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	80 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	282 W
Package Type	PG-TO247-3
Pin Count	3
Pd - рассеивание мощности	282 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IHW50N65R5 SP001133104
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 RC-H
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Вес, г	1