FF600R12KE4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-62MM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
286 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 286 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon 62 mm 1200 V, 600 A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4 and emitter controlled diode.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 1.2 kW |
| Package Type | AG-62MM |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 600А |
| DC Ток Коллектора | 600А |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | 62mm C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF600R12KE4BOSA1
pdf, 603 КБ
