FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B
![Фото 1/3 FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B](https://static.chipdip.ru/lib/624/DOC026624774.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/796/DOC006796251.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/854/DOC034854117.jpg)
95 700 ֏
1 шт.
на сумму 95 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Package Type | AG-EASY2B |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Другие названия товара № | FP50R12W2T7_B11 SP001894018 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPIM |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 15 |
Серия | Trenchstop IGBT7 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 50А |
DC Ток Коллектора | 50А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM |
Линейка Продукции | EasyPIM TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP50R12W2T7B11BOMA1
pdf, 855 КБ
Datasheet FP50R12W2T7B11BOMA1
pdf, 802 КБ