P-Channel MOSFET, 280 A, 30 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8L SQJQ131EL-T1_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 300 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 26 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 280 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0022 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK 8x8L |
| Pin Count | 4 |
| Series | P-Channel 30 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 208 КБ
