Dual N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V, 3-Pin D2PAK SIHB120N60E-T5-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 700 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 25 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.12 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | E Series |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.104Ом |
| Power Dissipation | 179Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 179Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.104Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Вес, г | 1 |
