Dual N-Channel MOSFET, 21 A, 850 V, 3-Pin TO-247AC SIHG24N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 500 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 13 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.184 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Series | E Series |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 125 КБ
