Dual N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH080N60E-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 000 ֏
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 16 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 32 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.08 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | PowerPAK 8x8 |
| Pin Count | 4 |
| Series | E Series |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 143 КБ
