N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

850 ֏

Кратность заказа 25 шт.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 21 250 ֏

Номенклатурный номер: 8014570904

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET. 100 % Rg and UIS tested

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	67.4 A
Maximum Drain Source Resistance	0.00325 Ω
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PowerPAK 1212-8SH
Pin Count	8
Series	TrenchFET
Transistor Material	Si
Drain Source On State Resistance	0.0027Ом
Power Dissipation	26.5Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen V
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	67.4А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.2В
Рассеиваемая Мощность	26.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0027Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1