Dual N-Channel MOSFET, 69.3 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SiZ340BDT-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
347 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 1 041 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET. 100 % Rg and UIS tested
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 69.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00856 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | PowerPAIR 3x3S |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.00359Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.00359Ом |
| Power Dissipation N Channel | 31Вт |
| Power Dissipation P Channel | 31Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 69.3А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 69.3А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 69.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 31Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00359Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 356 КБ
Datasheet SIZ340BDT-T1-GE3
pdf, 199 КБ
