N-Channel MOSFET, 62 A, 700 V, 3-Pin TO-247AD SQW61N65EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 19 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay automotive E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Fast body diode MOSFET using Automotive
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 62 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.052 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AD |
| Pin Count | 3 |
| Series | E Series |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Power Dissipation | 625Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 62А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 625Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AD |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet SQW61N65EF-GE3
pdf, 164 КБ
