FP150R12N3T7BPSA1 3 Phase IGBT, 150 A 1200 V, 43-Pin Module, Chassis Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
252 000 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 2 520 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon's EconoPIM 3, 150 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | 3 Phase |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Mounting Type | Chassis Mount |
Number of Transistors | 7 |
Package Type | Module |
Pin Count | 43 |
Transistor Configuration | 3 Phase |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 150А |
DC Ток Коллектора | 150А |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP EconoPIM 3 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT7-T7(Trench Stop) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP150R12N3T7BPSA1
pdf, 620 КБ