Silicon N-Channel MOSFET, 3.5 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K329R,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3050 шт., срок 8 недель
278 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 13 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching and high speed switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.89e+008 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K329R,LF
pdf, 231 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
