Diodes Inc BC807-16-7-F PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-23
![Фото 1/3 Diodes Inc BC807-16-7-F PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-23](https://static.chipdip.ru/lib/146/DOC027146564.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
154 ֏
Кратность заказа 250 шт.
250 шт.
на сумму 38 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Биполярные транзисторы - BJT PNP BIPOLAR
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.05 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at - 300 mA, - 1 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC807 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Вес, г | 1 |