Diodes Inc BC856BW-7-F PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin SOT-323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 ֏
Кратность заказа 250 шт.
250 шт.
на сумму 5 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 200мВт, SOT323 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at -2 mA, - 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC856B |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 1 |
