N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 300 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 353 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Модуль, одиночный транзистор, 600В, 40А, SOT227B, Ugs ±40В, 625Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | модуль |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 140 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 625 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-227 |
| Pin Count | 4 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Width | 25.42mm |
| Вес, г | 1 |
