IXA12IF1200PB IGBT, 20 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 600 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 280 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXA12IF1200PB
pdf, 152 КБ
