FP25R12W2T7B11BPSA1 Hex IGBT, 25 A 1200 V, 23-Pin EasyPIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
79 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 79 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon 25 A PIM IGBT module has compact design and used PRESSFIT contact technology. It has low on state voltage VCEsat.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 7 |
| Package Type | EasyPIM |
| Pin Count | 23 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 25А |
| DC Ток Коллектора | 25А |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | PIM |
| Линейка Продукции | EasyPIM TRENCHSTOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 7(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FP25R12W2T7B11BPSA1
pdf, 858 КБ
