IHW30N120R5XKSA1 Single IGBT, 60 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247
![Фото 1/3 IHW30N120R5XKSA1 Single IGBT, 60 A 1200 V, 3-Pin PG-TO247](https://static.chipdip.ru/lib/627/DOC026627598.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806614.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
4 400 ֏
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 132 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,2кВ, 30А, 165Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 25V |
Maximum Power Dissipation | 330 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Collector Current (DC) | 60(A) |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Packaging | Rail/Tube |
Rad Hardened | No |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 330Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |