IKD10N60RATMA1 Single IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin PG-TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 18 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IKD03N60RF is higher reliability due to monolithically integrated IGBT & diode due to less thermal cycling during switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1816 КБ
