IKW50N65WR5XKSA1 IGBT, 50 A 650 V PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 300 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 141Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 282 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pd - рассеивание мощности | 282 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKW50N65WR5 SP001215522 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | TRENCHSTOP 5 WR5 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.4В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 282Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1911 КБ
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1
pdf, 1913 КБ
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1
pdf, 2050 КБ