FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module, 65 A 600 V
![FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module, 65 A 600 V](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC028806575.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 600 ֏
1 шт.
на сумму 92 600 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 65 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 175 W |
Number of Transistors | 7 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1050 КБ