SI2393DS-T1-GE3, 30V 22.7m@5A,10V 2.2V@250uA 1PCSPChannel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
338 ֏
от 150 шт. —
289 ֏
от 500 шт. —
233 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 445 ֏
Описание
• TrenchFET® Gen IV P channel power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0189Ом |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0189Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.1 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Вес, г | 1 |
