Silicon N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K339R,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24000 шт., срок 7 недель
209 ֏
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 20 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.2e+008 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K339R,LF
pdf, 225 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
