Транзистор FF300R17KE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ
![Фото 1/3 Транзистор FF300R17KE4 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC025523112.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/598/DOC006598417.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC035343980.jpg)
183 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 183 000 ֏
Описание
комплектующие/транзистор
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1800 W |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Другие названия товара № | SP000713528 FF300R17KE4HOSA1 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.45 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 440 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Серия | Trenchstop IGBT4 - E4 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | 62 mm |
Вес, г | 500 |
Техническая документация
Datasheet FF300R17KE4
pdf, 609 КБ
Datasheet FF300R17KE4HOSA1
pdf, 651 КБ