Diodes Inc BCX56TA NPN Transistor, 1 A, 80 V, 3-Pin SOT-89
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 24 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание Транзистор биполярный BCX56TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой качественный компонент для монтажа на поверхность (SMD). Этот NPN транзистор способен выдерживать ток коллектора до 1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, что делает его подходящим для широкого спектра электронных применений. С мощностью в 1 Вт и компактным корпусом SOT89, BCX56TA является отличным выбором для использования в усилителях, переключателях и других электронных схемах, где требуется надежность и эффективность. Уникальный код товара BCX56TA обеспечивает удобство идентификации продукта и упрощает процесс покупки. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 80 |
| Мощность, Вт | 1 |
| Корпус | SOT89 |
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
| DC Current Gain HFE Max | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | BCX56 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BCX56 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Мощность, Вт | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 80 |
| Тип | биполярный |
| Ток коллектора, А | 1 |
| Вес, г | 1 |
