IRF9317TRPBF, , Транзистор полевой P-канальный , 30В, 16A, корпус SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
510 ֏
10 шт.
на сумму 6 200 ֏
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Корпус | SOIC-8 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 2820 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-2.5 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8В | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | P | |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
| Channel Type | P Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.0054Ом | |
| Power Dissipation | 2.5Вт | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | HEXFET | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В | |
| Непрерывный Ток Стока | 16А | |
| Полярность Транзистора | P Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В | |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0054Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.2 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V, 61 nC @ 10 V | |
| Width | 4mm | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOIC-8 | |
| Part # Aliases: | IRF9317TRPBF SP001575412 | |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.2 mOhms | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 224 КБ
Datasheet
pdf, 224 КБ
Datasheet IRF9317TRPBF
pdf, 219 КБ
IRF9317PBF datasheet
pdf, 231 КБ
