Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27000 шт., срок 8 недель
75 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 225 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2e+006 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | US6 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Material | Silicon |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
