AO3407A, 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90000 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 81 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор MOSFET SOT23
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52 мОм/4.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 | |
Крутизна характеристики, S | 8.2 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.1A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 52mО© @ 4.1A,10V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA | |
кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
AO3407A
pdf, 1743 КБ
Datasheet AO3407A
pdf, 2100 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг