AO4407A, Package/EnclosureSOP-8 fet typeP-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs20V Drain-source voltage Vds-30V
![Фото 1/2 AO4407A, Package/EnclosureSOP-8 fet typeP-Channel Operating temperature-55~150 Gate voltage Vgs20V Drain-source voltage Vds-30V](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
120000 шт., срок 8-10 недель
88 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 264 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор MOSFET
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 95 мОм/14А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 | |
Крутизна характеристики, S | 42 | |
Корпус | SOIC-8 | |
кол-во в упаковке | 3000 |
Техническая документация
Datasheet UMW AO4407A
pdf, 785 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг