L2N7002M3T5G, 60V 115mA 150mW 4-@10V,500mA 2.2V@250uA N Channel SOT-723 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
11340 шт., срок 5-6 недель
53 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
36 ֏
от 600 шт. —
26 ֏
от 2000 шт. —
23 ֏
20 шт.
на сумму 1 060 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015802133
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
60V 115mA 150mW 4Ω@10V,500mA 2.2V@250uA N Channel SOT-723 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.5pF |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.12nC |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 167 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг