DTA114YUAT106, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 70мА, 200мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 шт., срок 5-6 недель
40 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
22 ֏
20 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 70мА, 200мВт, SOT323
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@5mA, 250uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | One PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Manufacturer | ROHM Semicon |
| Package / Case | SOT-323 |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet DTA114YUAT106
pdf, 1781 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
