ASDM40N80Q, 40V 80A 3.5m-@10V,50A 65W 2.5V@250uA 80pF@20V N Channel 1.56nF@20V 29nC@10V +150-@(Tj) DFN-8 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2947 шт., срок 7-8 недель
890 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 30 шт. —
454 ֏
от 100 шт. —
374 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 ֏
Номенклатурный номер: 8015812419
Бренд: Ascend
Описание
40V 80A 3.5mΩ@10V,50A 65W 2.5V@250uA N Channel DFN-8(5.8x5.9) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 80A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@4.5V, 35A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.56nF@20V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 65W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 80pF@20V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.23 |
Техническая документация
Datasheet ASDM40N80Q
pdf, 461 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг