ASDM60R042NQ-R, 60V 116A 4.4m-@10V,20A 113W 1.4V@250uA 25pF@30V N Channel 1625pF@30V 17.8nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8(5x6) MOSFETs
3544 шт., срок 7-8 недель
980 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
от 30 шт. —
510 ֏
от 100 шт. —
419 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 ֏
Номенклатурный номер: 8015812620
Бренд: Ascend
Описание
60V 116A 4.4mΩ@10V,20A 113W 1.4V@250uA N Channel PDFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 116A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.4mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.625nF@30V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 113W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF@30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17.8nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 486 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
