ASDM40R009NQ-R, 40V 200A 114W 1.1m-@10V,100A 2V@250uA 81pF@20V N Channel 5400pF@20V 45nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8(5x6) MOSFETs
98 шт., срок 7-8 недель
1 520 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 30 шт. —
840 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Номенклатурный номер: 8015812806
Бренд: Ascend
Описание
40V 200A 114W 1.1mΩ@10V,100A 2V@250uA N Channel DFN-5(4.9x5.9) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1mΩ@10V, 100A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.4nF@20V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 114W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 81pF@20V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.23 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 490 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
