STD2NB60T4-VB, 650V 4.5A 1.8-@10V,4.5A N Channel TO-252-2 MOSFETs
77 шт., срок 7-8 недель
630 ֏
от 10 шт. —
423 ֏
от 30 шт. —
378 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 ֏
Описание
650V 4.5A 1.8Ω@10V,4.5A N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V, 4.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 486 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
