4N65 TO220F-VB, МОП-Транзистор 650В 4,5А 2,1-@10В, канал 4,5AN TO-220 МОП-Транзистор
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3 шт., срок 6-7 недель
580 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7Ω@10V, 2A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 33W |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.98 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 301 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг