RFD8P06ESM-VB, 60V 30A 61.1m-@10V,5A 34W 2V@250uA 100pF@25V P Channel 1nF@25V 10nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
20 шт., срок 7-8 недель
540 ֏
от 10 шт. —
369 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
60V 30A 61.1mΩ@10V,5A 34W 2V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 61.1mΩ@10V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 34W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 214 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
