SI2302DS-T1-GE3-VB, 20V 6A 28m-@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 55pF@10V N Channel 865pF@10V 8.8nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs
2010 шт., срок 7-8 недель
116 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
67 ֏
от 300 шт. —
63 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
20V 6A 28mΩ@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 865pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.8nC@4.5V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 254 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
