SI4463BDY-T1-VB, 20V 13A 19W 18m-@4.5V,5.6A 1.2V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs
4 шт., срок 7-8 недель
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
20V 13A 19W 18mΩ@4.5V,5.6A 1.2V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 13A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V, 5.6A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 19W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 446 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
