NTS2101PT1G-VB, 20V 3.1A 80m-@4.5V,1.4A 500mW 1.5V@250uA 44pF@10V P Channel 272pF@10V 2.7nC@2.5V -55-~+150-@(Tj) SC-70-3 MOSFETs
70 шт., срок 7-8 недель
192 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
120 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 960 ֏
Описание
20V 3.1A 80mΩ@4.5V,1.4A 500mW 1.5V@250uA P Channel SC-70-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@4.5V, 1.4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 272pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 44pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.7nC@2.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 211 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
