SI4466DY-T1-VB, 30V 18A 4m-@10V,11A 4.5W 3V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs
20 шт., срок 7-8 недель
580 ֏
от 10 шт. —
409 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
30V 18A 4mΩ@10V,11A 4.5W 3V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V, 11A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 4.5W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 709 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
