SVF4N65RDTR, Транзистор MOSFETs 650V 4A 2.3-10V,2A 77W 4V-250uA 4pF-25V N Channel 440pF-25V 13nC-10V -55-~+150-(Tj) TO-252-2
1065 шт., срок 7-8 недель
338 ֏
от 10 шт. —
254 ֏
от 30 шт. —
209 ֏
от 100 шт. —
178 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 338 ֏
Номенклатурный номер: 8015864572
Бренд: Silan Microelectronics
Описание
650V 4A 2.3Ω@10V,2A 77W 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 440pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 77W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet SVF4N65RMJ
pdf, 672 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
