AO4446-VB, 30V 9A 2.2W 8m-@10V,10A 3V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
35 шт., срок 5-6 недель
264 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 320 ֏
Описание
30V 9A 2.2W 8mΩ@10V,10A 3V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 9A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V, 10A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 2.2W |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 409 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг