BLM04N06-B, 60V 150A 3.5m-@10V,50A 210W 3V@250uA 680pF@25V N Channel 8200pF@25V 186nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-263-3 MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
389 шт., срок 5-6 недель
1 280 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 30 шт. —
730 ֏
от 100 шт. —
650 ֏
1 шт.
на сумму 1 280 ֏
Номенклатурный номер: 8015876744
Бренд: Shanghai Belling Corp., Ltd
Описание
60V 150A 3.5mΩ@10V,50A 210W 3V@250uA N Channel TO-263 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 150A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V, 50A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 8.2nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 210W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 680pF@25V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 186nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1138 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг